下一代存储器市场将见证2026年的巨大增长 英特尔公司,东芝公司,富士通有限公司,霍尼韦尔国际公司

全球下一代内存市场规模,状况和预测2021-2026

新一代内存 市场报告提供了对市场进行评估,突出的机会,并支持战略和战术决策的独特工具。本报告认识到,在这种快速发展的竞争环境中,最新的营销信息对于监控绩效以及为增长和盈利能力做出关键决策至关重要。它提供有关趋势和发展的信息,并侧重于市场容量和下一代存储器的变化结构。

2020年,全球下一代内存市场价值为2.951亿美元,预计到2026年将达到128.331亿美元,并在预测期内(2021年至2026年)以29.7%的复合年增长率增长。 

-对通用存储设备的需求正在推动市场。大多数新的内存技术旨在成为通用内存,以更好的技术取代层次结构的成员之一。高端笔记本电脑使用固态闪存芯片,而不是巨大的机械硬盘,并使用云而不是磁带驱动器进行备份。最近,英特尔宣布了Optane,它使用了接近通用内存的3D XPoint技术。这主要是具有足够快的非易失性存储器以充当RAM的闪存驱动器。
-对企业存储应用程序的需求不断增加?正在驱动市场。最终用户行业(例如BFSI)在IoT技术方面进行了大量投资,并获得了可观的财务回报。例如,嵌入式MRAM被认为是物联网等应用的有前途的技术。此外,其他下一代内存(例如3D Xpoint)提供的传输速度是当前SSD的1000倍。因此,这将有效地驱动市场。
-在极端环境条件下缺乏稳定性会限制市场。就存储设备的耐用性和可靠性而言,它受到极端环境条件的极大影响。例如,存储设备承受的热应力越多,损坏它的风险就越大,这挑战了市场的增长。

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全球下一代存储器市场的领先公司包括英特尔公司,东芝公司,富士通有限公司,霍尼韦尔国际公司,美光科技公司,IBM公司,索尼公司,三星电子有限公司,Crossbar公司,赛普拉斯半导体公司,雪崩公司Technologies Inc.,Adesto Technologies,Everspin Technologies Inc.,SK Hynix Inc.,台湾积体电路制造有限公司(TSMC)等。

行业新闻和更新:

2019年8月-三星宣布采用新电路设计技术的具有100个有源层的第六代V-NAND存储器。与三星的上一代V-NAND产品相比,它的延迟降低了10%,功耗降低了15%。该V-NAND还具有比其前代产品更低的功耗。
2019年7月-富士通半导体宣布发布8Mbit ReRAM MB85AS8MT,据报道,这是全球批量生产密度最高的ReRAM产品,适用于可穿戴设备,是与松下半导体解决方案有限公司共同开发的.MB85AS8MT是一款具有SPI接口的EEPROM兼容非易失性存储器,可在1.6V至3.6V的各种电源电压下工作。该存储器的一个主要特点是在5MHz的工作频率下,0.15mA的读操作的平均电流非常小。当安装在具有频繁数据读取操作的电池供电应用程序中时,这可使电池消耗降至最低。

主要市场趋势

信息技术将大量采用下一代存储技术

-随着企业规模的不断扩大,IT领域的许多公司都采用了企业存储技术。这种采用一直负责推动对下一代存储的需求,以处理组织的计算能力。
-尽管当今许多客户端设备都使用固态存储技术,但硬盘驱动器(HDD)仍被全球几乎所有数据中心的数百万人使用。热辅助磁记录(HAMR)技术有望在未来几年内显着提高HDD的容量。
-尽管HDD媒体仍然是存储行业中最畅销的产品,但是从最近几年开始,闪存/ SSD的采用一直在快速增长。由于数据的快速增长,该领域正在大力进行大量媒体投资。随着SSD内存存储技术的采用逐渐增加,对具有成本效益的内存技术的需求已与之交织在一起。
-例如,Fadu Technology是一家专注于发展闪存技术的初创公司。通过为固态硬盘(SSD)控制器部署新的架构,Fadu Technology通过满足2019年闪存峰会对企业和超大规模数据中心提出的要求,开创了SSD存储的新纪元。
-与现有使用的技术相比,这些最新的存储设备还提供了更好的体系结构。预计诸如MRAM之类的技术将具有更好的体系结构,从而为数据中心提供效率,这将推动信息技术领域的市场增长。

北美将占主要份额

-北美地区一直是下一代技术和基础设施的较早采用者之一。IT行业极大地推动了美国的经济发展。整个行业中,快速变化的技术和高数据量产生了对更高效处理系统的需求。这些是驱动该地区下一代存储器市场需求的一些因素。
-此外,美国政府已启动数据中心优化计划(DCOI),以通过整合该国许多数据中心,向公众提供更好的服务,同时增加纳税人的投资回报。整合过程包括建立超大规模数据中心和关闭表现不佳的数据中心的过程。截止到目前,政府已关闭了该国超过3,215个数据中心。
-此外,北美的存储器制造公司正在寻求扩大生产的机会。例如,英特尔已经开始其在亚利桑那州的新制造工厂的生产阶段,用于制造下一代内存和存储解决方案。该项目的第一阶段投资为10亿美元,而总成本为70亿美元。
-此外,在2019年3月,Cyxtera Technologies扩展了其在硅谷,凤凰城,亚特兰大,纽约地铁和多伦多的数据中心设施,这些扩展将这些市场的总容量增加到超过150万平方英尺,公司总占地面积超过290万平方英尺。

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